КИТАЙ Удостоверение подлинности автомобильный IC 6-TDFN связей DS28C36Q+T сети

Удостоверение подлинности автомобильный IC 6-TDFN связей DS28C36Q+T сети

Модель: DS28C36Q+T
Тип: Обломок удостоверения подлинности
Применения: Автомобильный
КИТАЙ DS1270Y-70 флэш-память IC не испаряющее SRAM IC 16Mb 70ns

DS1270Y-70 флэш-память IC не испаряющее SRAM IC 16Mb 70ns

Модель: DS1270Y-70#
Технология: NVSRAM (слаболетучее SRAM)
Размер запоминающего устройства: 16Mb (2M x 8)
КИТАЙ Память IC 128Gb NAND ВСПЫШКИ 48-TSOP MT29F128G08AJAAAWP ITZ A (параллель 16G x 8)

Память IC 128Gb NAND ВСПЫШКИ 48-TSOP MT29F128G08AJAAAWP ITZ A (параллель 16G x 8)

Модель: MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:
Технология: ВСПЫШКА - NAND
Размер запоминающего устройства: 128Gb (16G x 8)
КИТАЙ TLC EMMC 100-BGA IC Nand флэш-памяти SM662PEF BESS внезапный

TLC EMMC 100-BGA IC Nand флэш-памяти SM662PEF BESS внезапный

Модель: SM662PEF BESS
Технология: ВСПЫШКА - NAND (TLC)
Интерфейс памяти: ЭМС
КИТАЙ Поднос IC памяти 128GBIT THGAMVG7T13BAIL IC ВНЕЗАПНЫЙ EMMC 153FBGA

Поднос IC памяти 128GBIT THGAMVG7T13BAIL IC ВНЕЗАПНЫЙ EMMC 153FBGA

Модель: THGAMVG7T13BAIL
Упаковка: Лоток
Состояние продукта: Активный
КИТАЙ Обломок автомобильное PG-TSDSO-24-1 основы системы SBC RoHS TLE9461ESXUMA1 Lite

Обломок автомобильное PG-TSDSO-24-1 основы системы SBC RoHS TLE9461ESXUMA1 Lite

mdoel: TLE9461ESXUMA1
Тип: Обломок основы системы (SBC)
Применения: Автомобильный
КИТАЙ Драйвер устройства 80-HTQFP DLPA200PFP 3D DMD цифров Micromirror

Драйвер устройства 80-HTQFP DLPA200PFP 3D DMD цифров Micromirror

Модель: DLPA200PFP
Тип: Прибор цифров Micromirror (DMD), водитель
Применения: Автомобильный
КИТАЙ Держатель автомобильного обломока IC 6-TDFN флэш-памяти DS28E50Q+T медицинский поверхностный

Держатель автомобильного обломока IC 6-TDFN флэш-памяти DS28E50Q+T медицинский поверхностный

Модель: DS28E50Q+T
Тип: Обломок удостоверения подлинности
Применения: Автомобильный
VIDEO КИТАЙ Интегрированная схема типа флэш-памяти NOR - Минимальное напряжение питания 2,7 В

Интегрированная схема типа флэш-памяти NOR - Минимальное напряжение питания 2,7 В

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
VIDEO КИТАЙ Интегрированная схема IC для флэш-памяти с временем цикла записи 50 мкс

Интегрированная схема IC для флэш-памяти с временем цикла записи 50 мкс

Напишите время цикла - слово: 50 мкс
Подача напряжения - Макс: 3,6 v
Скорость: 50ns
1 2 3 4 5