Водитель ворот STMicroelectronics первый гальванически изолированный для транзисторов галли-нитрида (GaN), STGAP2GS, уравновешивает размеры и цены Билл--материалов в применениях которые требуют главной широкой-bandgap эффективности с крепкой безопасностью и электрической защитой.
Одноканальный водителя можно подключить с высоковольтным рельсом до 1200V, или 1700V с версией узк-тела STGAP2GSN, и обеспечивает ворот-управлять напряжением тока до 15V. Способный на тонуть и поиска до течения ворот 3A к соединенному транзистору GaN, водитель обеспечивает плотно контролируемые переключая переходы до высоких равочих частот.
С минимальной задержкой распространения через барьер изоляции, о том, как раз 45ns, STGAP2GS обеспечивает быструю динамическую характеристику. К тому же, невосприимчивость dV/dt переходная ±100V/ns над полными предохранителями диапазона температур против излишнего селекторного переключения транзистора.
STGAP2GS доступно с отдельными штырями раковины и источника для легкий настраивать ворот-управляя деятельности и представления.
Сохраняющ потребность для дискретных компонентов предусмотреть оптически изоляцию, водитель STGAP2GS облегчает принятие эффективной и крепкой технологии GaN в различном потребителе и промышленных применениях. Эти включают электропитания в серверах компьютера, оборудовании фабрик-автоматизации, водителях мотора, системах солнечных и энергии ветра, бытовых техниках, отечественных вентиляторах, и беспроводных заряжателях.
В дополнение к интегрировать гальваническую изоляцию, водитель также отличает встроенным предохранением от системы включая термальное выключение и замыкание недонапряжения (UVLO) оптимизировало для технологии GaN, для обеспечения надежности и пересеченности.
2 доски демонстрации, EVSTGAP2GS и EVSTGAP2GSN, совмещают стандартное STGAP2GS и узкое STGAP2GSN с SGT120R65AL 75mΩ ST, транзисторами GaN повышени-режима 650V для того чтобы помочь потребителям оценить возможности водителей.